2004
Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Václav HOLÝ; Günther BAUER; Claudiu FALUB et. al.Základní údaje
Originální název
Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers
Název česky
Studium žíhání multivrstev SiGe/Si s vysokým obsahem Ge
Autoři
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Václav HOLÝ; Günther BAUER; Claudiu FALUB; Soichiro TSUJINO; Elisabeth MÜLLER; Detlev GRÜTZMACHER; Yves CAMPIDELLI; Olivier KERMARREC a Daniel BENSAHEL
Vydání
Zeitschrift fur Kristalographie, R. Oldenbourg Verlag GmbH, 2004, 0044-2968
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Německo
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.390
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00010958
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000221641100004
Klíčová slova anglicky
Reflectivity; X-ray diffraction; Annealing; Diffusion; Si/SiGe multiple quantum wells
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 2. 2007 09:42, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
Temperature stability of SiGe/Si (80% Ge) multilayers was studied using x-ray reflectivity during in-situ annealing at temperature 810C.
Česky
Byla studována teplotní stbilita multivrstev SiGe/Si (80% Ge) metodou rtg reflexe během žíhání in-situ při teplotě 810C.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|