2003
Oriented organic semiconductor thin films
ANDREEV, A.; R. RESEL; M.D. SMILGIES; H. HOPPE; G. MATT et. al.Základní údaje
Originální název
Oriented organic semiconductor thin films
Název česky
Orientované organické tenké vrstvy
Autoři
ANDREEV, A.; R. RESEL; M.D. SMILGIES; H. HOPPE; G. MATT; H. SITTER; N. S. SARICIFTCI; D. MEISSNER; H. PLANK a O. ZRZAVECKA
Vydání
Synthetic Metals, Elsevier, 2003, 0379-6779
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Francie
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.303
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000183479200011
Klíčová slova anglicky
Organic epitaxy; Crystalline thin films; Atomic force microscopy; X-ray diffraction
Změněno: 14. 2. 2005 15:30, Mgr. Olga Fikarová Zrzavecká
V originále
In this part of our investigations, we mainly use atomic force microscopy to study the growth of para-sexiphenyl (PSP) films on mica. It is shown that self-organization of PSP molecules occurs during the deposition controlled by the substrate temperature and deposition time. In addition, X-ray diffraction (XRD) measurements were performed using synchrotron radiation. They confirmed the very high crystalline quality of the grown films.
Česky
V této části našeho výzkumu jsme použili ke studiu růstu para-sexiphenylu na slídě především mikroskopii atomove síly (AFM). Ukázalo se samouspořádávání molekul PSP během depozice kontrolované teplotou substrátu a dobou depozice. Dále byla provedena měření rtg difrakce (XRD)s užitím synchrotronového zdroje. Ta potvrdila vysokou kvalitu krystalických vrstev.