2005
X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
KLANG, Pavel, Václav HOLÝ, Josef KUBĚNA, Richard ŠTOUDEK, Jan ŠIK et. al.Základní údaje
Originální název
X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
Název česky
Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou
Autoři
KLANG, Pavel (203 Česká republika, garant), Václav HOLÝ (203 Česká republika), Josef KUBĚNA (203 Česká republika), Richard ŠTOUDEK (203 Česká republika) a Jan ŠIK (203 Česká republika)
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2005, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.957
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00013724
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000230243500021
Klíčová slova anglicky
X-ray; diffuse scattering; defects; nitrogen; silicon
Štítky
Změněno: 13. 3. 2006 17:54, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
We have studied nitrogen-doped silicon wafers from origin, middle and end of the ingot, annealed at low and high temperatures, using triple-axis high-resolution X-ray diffraction. The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space maps determines the type of dislocation loops and from cross sections we can obtain the radius and concentration of the loops. These parameters were combined with the results from selective etching and infrared absorption spectroscopy method.
Česky
Studovali jsme dusíkem dopované křemíkové desky ze začátku, středu a konce ingotu, žíhané na nízké a vysoké teplotě. Použili jsme trojosý rentgenový difraktometr s vysokým rozlišením. Rozložení intensity v reciprokém prostoru od shluků vakancí, vrstevných chyb a dislokačních smyček jsme modelovali použitím Krivoglazovy teorie a kontinualní model deformačního pole defektu. Dobrá shoda teorie s experimentálními daty nastává pro model dislokačních smyček. Typ dislokačních smyček lze určit ze symetrie naměřených map reciprokého prostoru a z rezu techto map můžeme určit poloměr a koncentraci smyček. Tyto parametry bylo doplněny výsledky ze selektivního leptání a infračervené absorpční spektroskopie.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|