2005
On Formation of Very Thin SiO2/a-Si:H/c-Si Structures by Plasma Immersion Ion Implantation and Dielectric Barrier Discharge
KRÁĽ, Martin, Andrej BUČEK, Miroslav ZÁHORAN, Mirko ČERNÁK, Jaroslav RUSNÁK et. al.Základní údaje
Originální název
On Formation of Very Thin SiO2/a-Si:H/c-Si Structures by Plasma Immersion Ion Implantation and Dielectric Barrier Discharge
Název česky
On Formation of Very Thin SiO2/a-Si:H/c-Si Structures by Plasma Immersion Ion Implantation and Dielectric Barrier Discharge
Autoři
KRÁĽ, Martin, Andrej BUČEK, Miroslav ZÁHORAN, Mirko ČERNÁK, Jaroslav RUSNÁK a Emil PINČÍK
Vydání
1. vyd. Itálie, Proc. SREN 2005, od s. 47-48, 2 s. 2005
Nakladatel
U
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Itálie
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
80-223-2045-5
Změněno: 5. 1. 2006 15:17, prof. RNDr. Mirko Černák, CSc.
V originále
On Formation of Very Thin SiO2/a-Si:H/c-Si Structures by Plasma Immersion Ion Implantation and Dielectric Barrier Discharge
Česky
On Formation of Very Thin SiO2/a-Si:H/c-Si Structures by Plasma Immersion Ion Implantation and Dielectric Barrier Discharge