2005
High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Claudiu FALUB; Günther BAUER; Detlev GRÜTZMACHER et. al.Základní údaje
Originální název
High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures
Název česky
Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti
Autoři
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Claudiu FALUB; Günther BAUER a Detlev GRÜTZMACHER
Vydání
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, Praha, 2005, 1211-5894
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00020144
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 24. 1. 2007 14:40, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
From the temporal evolution of x-ray reflectivity data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the critical temperature for Ge inter-diffusion process in Si0.7Ge0.3 and Si0.2Ge0.8 depends not only on Ge content but also on the thickness of the individual layers.
Česky
Z časového vývoje dat rtg reflexe při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že kritická teplota pro interdifuzní proces Ge v Si0.7Ge0.3 a Si0.2Ge0.8 závisí nejen na obsahu Ge, ale také na tloušťce jednotlivých vrstev.
Návaznosti
| GP202/05/P286, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|