MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Claudiu FALUB, Günther BAUER a Detlev GRÜTZMACHER. High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures. Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Praha, roč. 12, č. 2, s. 126. ISSN 1211-5894. 2005.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures
Název česky Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti
Autoři MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Claudiu FALUB (642 Rumunsko), Günther BAUER (40 Rakousko) a Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo).
Vydání Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, Praha, 2005, 1211-5894.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/05:00020144
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Štítky Interdiffusion, reflectivity, X-ray diffraction
Příznaky Mezinárodní význam
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 24. 1. 2007 14:40.
Anotace
From the temporal evolution of x-ray reflectivity data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the critical temperature for Ge inter-diffusion process in Si0.7Ge0.3 and Si0.2Ge0.8 depends not only on Ge content but also on the thickness of the individual layers.
Anotace česky
Z časového vývoje dat rtg reflexe při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že kritická teplota pro interdifuzní proces Ge v Si0.7Ge0.3 a Si0.2Ge0.8 závisí nejen na obsahu Ge, ale také na tloušťce jednotlivých vrstev.
Návaznosti
GP202/05/P286, projekt VaVNázev: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
Investor: Grantová agentura ČR, Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 23. 4. 2024 08:29