D 2007

Frequency- and temperature-dependent conductivity at the metal-insulator transition in phosphorus doped silicon studied by far-infrared ellipsometry

HUMLÍČEK, Josef, Adam DUBROKA, Přemysl MARŠÍK, Dominik MUNZAR, A.V. BORIS et. al.

Základní údaje

Originální název

Frequency- and temperature-dependent conductivity at the metal-insulator transition in phosphorus doped silicon studied by far-infrared ellipsometry

Název česky

Frekvenčně a teplotně závislá vodivost na přechodu kov-izolátor v bórem legovaném křemíku studovaná elipsometrií v daleké infračervené oblasti

Autoři

HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant, domácí), Adam DUBROKA (203 Česká republika), Přemysl MARŠÍK (203 Česká republika, domácí), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí), A.V. BORIS (643 Rusko) a Christian BERNHARD (276 Německo)

Vydání

USA, CP893, Physics of Semiconductors, 28th International Conference, od s. 33-34, 2 s. 2007

Nakladatel

American Institute of Physics

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/07:00025614

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-0-7354-0397-0

UT WoS

000246281800016

Klíčová slova anglicky

metal-insulator transition; doped silicon; ellipsometry

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 7. 9. 2011 12:10, doc. Mgr. Adam Dubroka, Ph.D.

Anotace

V originále

We report on far-infrared ellipsometric measurements of Si:P with the phosphorus concentration at the metal-insulator (MI) transition, for temperatures from 15 to 300 K in the 50-600 cm-1 spectral range. Temperature coefficients of the complex conductivity have been measured with high resolution; they reveal a nontrivial evolution of the optical response.

Česky

Referujeme o elipsometrických měřeních v daleké infračervené oblasti na Si:P s koncentrací fosforu na přechodu kov-izolátor, v teplotním oboru od 15 do 300 K. Teplotní koeficienty komplexní vodivosti byly změřeny s vysokým rozlišením; ukazují netriviální vývoj optické odezvy.

Návaznosti

MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur