2007
In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Günther BAUER; Václav HOLÝ; Claudiu FALUB et. al.Základní údaje
Originální název
In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering
Název česky
In-situ studie Si a Ge interdifuse v SiGe multivrstvách bohatých na Ge za použití rtg rozptylu
Autoři
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Günther BAUER; Václav HOLÝ; Claudiu FALUB; Soichiro TSUJINO a Detlev GRÜTZMACHER
Vydání
Semicond. Sci. Technol. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2007, 0268-1242
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.899
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00020384
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000246104100026
Klíčová slova anglicky
interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 7. 2007 09:43, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
From the temporal evolution of x-ray reflectivity and diffraction data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the activation energy and diffusion prefactor depend on Ge content linearly and exponentialy.
Česky
Z časového vývoje dat rtg reflexe a difrakce při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že aktivační energie resp. difúzní prefaktor závisí na koncentraci Ge lineárně resp. exponenciálně.
Návaznosti
| GP202/05/P286, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|