J 2001

Interface roughness in SiGe quantum-cascade structures from x-ray reflectivity studies

ROCH, Tomáš; Mojmír MEDUŇA; Julian STANGL; Anke HESSE; Rainer T LECHNER et. al.

Základní údaje

Originální název

Interface roughness in SiGe quantum-cascade structures from x-ray reflectivity studies

Název česky

Drsnost rozhraní v SiGe kvantumkaskádových strukturách ze studií rtg reflektivity

Autoři

ROCH, Tomáš; Mojmír MEDUŇA; Julian STANGL; Anke HESSE; Rainer T LECHNER; Guenther BAUER; G. DEHLINGER; L. DIEHL; U. GENNSER; Elisabeth MÜLLER a Detlev GRÜTZMACHER

Vydání

Journal of Applied Physics, USA, American Institute of Physics, 2001, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 2.128

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000175708900007

Klíčová slova anglicky

superlatitces; multilayers; scattering; quality

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 31. 1. 2008 15:30, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

V originále

We have investigated the structural properties of Si/SiGe electroluiminescent quantum-cascade structures, by means of x-ray reflectivity and diffraction.

Česky

Studovali jsme strukturní vlastnosti Si/SiGe elektroluminescentních kvantových kaskádových struktur pomocí rtg reflektivity a difrakce.