2007
Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films
ORAVA, Jiří; Tomáš WAGNER; Miloš KRBAL; Tomáš KOHOUTEK; Milan VLČEK et al.Základní údaje
Originální název
Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films
Název česky
Selektivní leptání amorfních/zkrystalizovaných Ag/As/S a Ag/As/S/Se chalkogenidových tenkých vrstev
Autoři
ORAVA, Jiří; Tomáš WAGNER; Miloš KRBAL; Tomáš KOHOUTEK; Milan VLČEK; Ludvík BENEŠ; Eva KOTULANOVÁ; Petr BEZDIČKA; Petr KLAPETEK a Miloslav FRUMAR
Vydání
Journal of Physics and Chemistry of Solids, Elsevier, 2007, 0022-3697
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10402 Inorganic and nuclear chemistry
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.899
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00028406
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
Klíčová slova anglicky
Chalcogenides;Amorphous materials;Quasicrystals;Thin films;Surface properties
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 19. 6. 2008 11:16, Mgr. Miroslav Valtr, Ph.D.
Anotace
V originále
The paper is focused on the possibilities of selective wet etching of optically and thermally crystallized /amorphous Ag-doped chalcogenide thin films, namely Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x). The selective etching of optically(thermally) crystallized Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and thermally crystallized Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x) thin films in water solution of NaCN is presented. The good surface quality is an important and crucial parameter for optical elements fabrication (e.g. grids, waveguides, etc.) especially in nanometer dimensions. The selective etching of undoped and Ag optically doped region was also carried out to observe surface roughness of doped region before and after selective etching. Characterization of the structure and surface of studied films by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, AFM and SEM methods has been done and potential application suggested.
Návaznosti
| AV0Z40500505, záměr |
| |
| GA203/06/1368, projekt VaV |
| |
| MSM0021627501, záměr |
|