Optical characterization of phase changing Ge2Sb2Te5 chalcogenide films

FRANTA, Daniel, Martin HRDLIČKA, David NEČAS, Miloslav FRUMAR, Ivan OHLÍDAL a Martin PAVLIŠTA. Optical characterization of phase changing Ge2Sb2Te5 chalcogenide films. physica status solidi (c). Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, roč. 5, č. 5, s. 1324-1327. ISSN 1610-1634.

Základní údaje

• Originální název: Optical characterization of phase changing Ge2Sb2Te5 chalcogenide films
• Název česky: Optická charakterizace fázově měnitelných Ge2Sb2Te5 chalkogenidových filmů
• Autoři: FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Martin HRDLIČKA (203 Česká republika), David NEČAS (203 Česká republika), Miloslav FRUMAR (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika) a Martin PAVLIŠTA (203 Česká republika).
• Vydání: physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, 1610-1634.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Německo
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/08:00025067
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000256862500078
• Klíčová slova anglicky: thin-films; thermal-stability; dispersion model; rough surfaces; optical constants
• Štítky: Dispersion model, optical constants, rough surfaces, thermal-stability, THIN-FILMS
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

The variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry is used for the optical characterization of the as-deposited and annealed Ge2Sb2Te5 (GST) films. The dispersion model of the GST films is based on the parameterization of the density of electronic states. As a consequence of annealing, roughness of the upper boundaries of the GST films originates. This annealing also causes the evident redistribution of the density of electronic states from the higher energies to lower energies. The roughening and redistribution of the electrons are explained by means of the phase change of the GST films from amorphous to polycrystalline structure. This phase change is accompanied by changing the conductivity of the films that was proved by introducing the terms of the free carriers in the dispersion model of the CST films.

Anotace česky

The variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry is used for the optical characterization of the as-deposited and annealed Ge2Sb2Te5 (GST) films. The dispersion model of the GST films is based on the parameterization of the density of electronic states. As a consequence of annealing, roughness of the upper boundaries of the GST films originates. This annealing also causes the evident redistribution of the density of electronic states from the higher energies to lower energies. The roughening and redistribution of the electrons are explained by means of the phase change of the GST films from amorphous to polycrystalline structure. This phase change is accompanied by changing the conductivity of the films that was proved by introducing the terms of the free carriers in the dispersion model of the CST films.

Návaznosti

• GA203/05/0524, projekt VaV: Název: Fotonická skla a amorfní vrstvy

Investor: Grantová agentura ČR, Fotonická skla a amorfní vrstvy

• MSM0021622411, záměr: Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek