X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
CAHA, Ondřej a Mojmír MEDUŇA. X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon. Physica B condensed matter. Amsterdam: Elsevier Science, 2009, roč. 404, 23-24, s. 4626-4629. ISSN 0921-4526. |
Další formáty:
BibTeX
LaTeX
RIS
|
Základní údaje | |
---|---|
Originální název | X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon |
Název česky | Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku |
Autoři | CAHA, Ondřej (203 Česká republika, garant) a Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika). |
Vydání | Physica B condensed matter, Amsterdam, Elsevier Science, 2009, 0921-4526. |
Další údaje | |
---|---|
Originální jazyk | angličtina |
Typ výsledku | Článek v odborném periodiku |
Obor | 10302 Condensed matter physics |
Stát vydavatele | Nizozemské království |
Utajení | není předmětem státního či obchodního tajemství |
Impakt faktor | Impact factor: 1.056 |
Kód RIV | RIV/00216224:14310/09:00029726 |
Organizační jednotka | Přírodovědecká fakulta |
UT WoS | 000276029300035 |
Klíčová slova česky | křemík; rtg. difrakce; precipitáty |
Klíčová slova anglicky | Silicon; X-ray diffraction; Precipitates |
Příznaky | Mezinárodní význam, Recenzováno |
Změnil | Změnil: doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 3. 1. 2010 18:07. |
Anotace |
---|
The results of a study of oxygen precipitates in Czochralski grown silicon are reported. High-resolution X-ray diffraction was used to measure reciprocal space maps on samples after various annealing treatment. The measurements were performed for several diffraction orders and systematic differences between reciprocal space maps around different diffractions were found. The diffuse X-ray scattering intensity was simulated, where the displacement field of precipitates was calculated using continuum elasticity theory. The simulations give correct asymptotic behavior and the interpretation of intermediate region between Huang and core scattering processes is found. The X-ray diffraction results are correlated to the infrared absorption spectroscopy measurement involving the interstitial oxygen concentration. |
Anotace česky |
---|
Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku. |
Návaznosti | |
---|---|
GA202/09/1013, projekt VaV | Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku |
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku | |
GP202/09/P410, projekt VaV | Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích |
Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích | |
MSM0021622410, záměr | Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
VytisknoutZobrazeno: 27. 9. 2024 17:49