KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties. Applied Physics Letters, USA: American institute of physics, 2010, roč. 97, č. 203107. ISSN 0003-6951.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
Název česky Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
Autoři KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Applied Physics Letters, USA, American institute of physics, 2010, 0003-6951.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy americké
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.841
Kód RIV RIV/00216224:14310/10:00045413
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000284545200055
Klíčová slova anglicky band structure; gallium arsenide; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; k.p calculations; photoluminescence; red shift; semiconductor quantum dots
Štítky quantum dots, strain reducing layer
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr., učo 673. Změněno: 26. 1. 2011 13:20.
Anotace
The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y and its blue shift with increasing excitation power. For y>0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectric field. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.
Návaznosti
GA202/09/0676, projekt VaVNázev: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Investor: Grantová agentura ČR, Standardní projekty
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Výzkumné záměry
MUNI/A/1047/2009, interní kód MUNázev: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
Investor: Masarykova univerzita, Grantová agentura MU, Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
VytisknoutZobrazeno: 12. 12. 2019 06:46