2010
Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules
KŘÁPEK, Vlastimil; Petr KLENOVSKÝ; Armando RASTELLI; Oliver G SCHMIDT; Dominik MUNZAR et al.Základní údaje
Originální název
Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules
Autoři
Vydání
Journal of Physics: Conference Series, Institute of Physics Publishing, 2010, 1742-6588
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00047199
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
Klíčová slova anglicky
Excitons and related phenomena; Tunneling; Quantum dots; Semiconductor compounds
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 28. 4. 2011 15:20, prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
Anotace
V originále
We calculate the excitonic structure of pairs of GaAs/AlGaAs quantum dots forming lateral molecules and obtain the entanglement of exciton states. The following advantages of the lateral geometry over the vertical one are found: (1) The energy structures of the dots forming a molecule can be in principle identical. (2) Comparable tunneling of electrons and holes ensures a high entanglement of antisymmetric excitons. A drawback of existing structures are very low tunneling energies, which make the entanglement vulnerable against differences in the sizes and shapes of both dots.
Návaznosti
| GA202/09/0676, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
| ||
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
|