ŠTOUDEK, Richard. Infrared Absorption Spectroscopy of Defects in Floating Zone Silicon. In Marta Kořenská and Luboš Pazdera. 8th Interantional Conference NDT 2010 - Non-Destructive Testing in Engineering Practice (id 18982). Brno: CERM, 2010, s. 199-204. ISBN 978-80-7204-723-9.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Infrared Absorption Spectroscopy of Defects in Floating Zone Silicon
Autoři ŠTOUDEK, Richard (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Brno, 8th Interantional Conference NDT 2010 - Non-Destructive Testing in Engineering Practice (id 18982), od s. 199-204, 6 s. 2010.
Nakladatel CERM
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/10:00047310
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-80-7204-723-9
Klíčová slova anglicky Infrared spectroscopy; silicon; interstitial oxygen; substitutional carbon.
Změnil Změnil: Mgr. Richard Štoudek, Ph.D., učo 11284. Změněno: 22. 2. 2011 18:05.
Anotace
The infrared absorption method was used to study interstitial oxygen and substitutional carbon in floating zone silicon samples. Transmittance spectra have been measured in the temperature range from 10 to 300 K. This allowed us to determine low concentrations of interstitial oxygen and substitutional carbon in these samples. In the data analysis, we focused on isotopic splitting of the interstitial oxygen absorption band. The low temperature absorption spectra have been analysed using Lorentz oscillators and thus we were able to determine the abundances of the silicon isotopes in our samples.
Návaznosti
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 24. 4. 2024 23:57