Masarykova univerzita

Výpis publikací

česky | in English

Filtrování publikací

    2001

    1. GID study of strains in Si due to patterned SiO2
      DANIEL, A.;, Václav HOLÝ, Y. ZHUANG, T. ROCH, J. GRENZER, Zdeněk BOCHNÍČEK a G. BAUER. GID study of strains in Si due to patterned SiO2. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 2001, roč. 34, 10A, s. A197, 6 s. ISSN 0022-3727.
      Název anglicky: GID study of strains in Si due to patterned SiO2
      RIV/00216224:14310/01:00004220 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Klíčová slova anglicky: GID; stress;SiO2
      Změnil: doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr., učo 438. Změněno: 29. 5. 2001 17:05.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/362574/cs
    2. X-ray diffraction and reflectivity analysis of GaAs/InGaAs free-standing trapezoidal quantum wires
      ULYANENKOV, A., K. INABA, Petr MIKULÍK, N. DAROWSKI, K. OMOTE, J. GRENZER a A. FORCHEL. X-ray diffraction and reflectivity analysis of GaAs/InGaAs free-standing trapezoidal quantum wires. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 2001, roč. 34, 10A, s. A179, 4 s. ISSN 0022-3727.
      URL
      RIV/00216224:14310/01:00004229 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Mikulík, Petr (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: reflectivity; diffraction; xrd; gid; xrr; quantum wires; GaAs; GaInAs
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 12. 2. 2007 19:01.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/362932/cs

    1999

    1. Strain relaxation in periodic arrays of Si/SiGe quantum wires determined by coplanar high resolution x-ray diffraction and grazing incidence diffraction
      ZHUANG, Y., Václav HOLÝ, J. STANGL, A.A. DARHUBER, Petr MIKULÍK, S. ZERLAUTH, F. SCHÄFFLER, G. BAUER, N. DAROWSKI, D. LÜBBERT a U. PIETSCH. Strain relaxation in periodic arrays of Si/SiGe quantum wires determined by coplanar high resolution x-ray diffraction and grazing incidence diffraction. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 1999, roč. 32, č. 9999, s. A224, 6 s. ISSN 0022-3727.
      URL
      Název anglicky: Strain relaxation in periodic arrays of Si/SiGe quantum wires determined by coplanar high resolution x-ray diffraction and grazing incidence diffraction
      RIV/00216224:14310/99:00001016 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Holý, Václav (203 Česká republika) -- Mikulík, Petr (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: quantum wires; SiGe; x-ray diffraction; GID
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 12. 2. 2007 18:57.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/205589/cs
Zobrazeno: 22. 5. 2024 07:15