HOUŠKA, Jan, Eladia Maria PEÑA-MÉNDEZ, Jakub KOLÁŘ, Jan PŘIKRYL, Martin PVLIŠTA, Miloslav FRUMAR, Tomáš WÁGNER a Josef HAVEL. Laser desorption time-of-flight mass spectrometry of atomic switch memory Ge2Sb2Te5 bulk materials and its thin films. Rapid Communications in Mass Spectrometry. 2014, roč. 28, č. 7, s. 699-704. ISSN 0951-4198. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/rcm.6833.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Laser desorption time-of-flight mass spectrometry of atomic switch memory Ge2Sb2Te5 bulk materials and its thin films
Autoři HOUŠKA, Jan (203 Česká republika, domácí), Eladia Maria PEÑA-MÉNDEZ (724 Španělsko), Jakub KOLÁŘ (203 Česká republika), Jan PŘIKRYL (203 Česká republika), Martin PVLIŠTA (203 Česká republika), Miloslav FRUMAR (203 Česká republika), Tomáš WÁGNER (203 Česká republika) a Josef HAVEL (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Rapid Communications in Mass Spectrometry, 2014, 0951-4198.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10406 Analytical chemistry
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 2.253
Kód RIV RIV/00216224:14310/14:00073479
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1002/rcm.6833
UT WoS 000332988600004
Klíčová slova anglicky atomic switch memory thin films pulsed laser deposition laser desorption time of flight mass spectrometry clusters solid phase structural fragments phase change materials Ge2Sb2Te5 (GST) laser ablation
Štítky AKR, atomic switch memory, Clusters, laser ablation, laser desorption, phase-change materials, pulsed laser deposition, rivok, solid phase structural fragments, thin films, TOF mass spectrometry
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 9. 4. 2015 16:08.
Anotace
The report elucidates the stoichiometry of GemSbnTep clusters formed in plasma when bulk or nano-layers of GST material are ablated. The clusters stoichiometry were identified using isotopic envelope analysis. The singly negatively or positively charged clusters identified from the LDI of GST were Ge, Ge2, GeTe, Ge2Te, Ten (n=1–3), GeTe2, Ge2Te2, GeTe3, SbTe2, Sb2Te, GeSbTe2, Sb3Te and the low abundance ternary GeSbTe3, while the LDI of germanium telluride yielded GemTen + clusters (m=1–3, n=1–3). Several minor Ge-H clusters were also observed for pure germanium and for germanium telluride. Sbn clusters (n=1–3) and the formation of binary TeSb, TeSb2 and TeSb3 clusters were detected when Sb2Te3 was examined. The clusters were found to be fragments of the original structure.
Návaznosti
GA13-05082S, projekt VaVNázev: Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
Investor: Grantová agentura ČR, Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
VytisknoutZobrazeno: 25. 6. 2024 23:11