Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

ŠMÍD, Radek, Lenka ZAJÍČKOVÁ a Vilma BURŠÍKOVÁ. Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas. In Proceedings of the XXVII ICPIG. 1. vyd. Eindhoven, Nizozemí: Eindhoven University of Technology, Nizozemí, 2005, s. 297-300. ISBN 90-386-2231-7.

Základní údaje

• Originální název: Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas
• Název česky: Aktinometrie pro porozumění plazmochemické depozice tenkých vrstev z O2/HMDSO plazmatu
• Autoři: ŠMÍD, Radek (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika) a Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika).
• Vydání: 1. vyd. Eindhoven, Nizozemí, Proceedings of the XXVII ICPIG, s. 297-300, 2005.
• Nakladatel: Eindhoven University of Technology, Nizozemí

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Stať ve sborníku
• Obor: 10305 Fluids and plasma physics
• Stát vydavatele: Nizozemské království
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/05:00014212
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• ISBN: 90-386-2231-7
• Klíčová slova anglicky: actinometry; HMDSO; optical emission spectroscopy
• Štítky: actinometry, HMDSO, optical emission spectroscopy
• Příznaky: Mezinárodní význam

Anotace

We applied actinometry for the calculation of dissociation degree in oxygen CCP discharges used for the deposition from O2/HMDSO plasmas. Dissociation degree exhibited a slight increase with increasing r.f. power and maximum of 20% for 5 Pa of oxygen. This relatively high value was not enough for deposition of SiO2-like films because the HMDSO percentage in the feed was too high at this low oxygen partial pressure. Rapid decrease of dissociation degree to 2-4% for higher oxygen flow rates, i.e. higher pressures resulted in still insufficient oxidation of film precursors.

Anotace česky

Použili jsme aktinometrii pro odhad disociačního koeficientu kyslíku v kapacitně vázaných výbojích používaných při depozicích z 02/HMDSO. Disociační stupeň v čistém kyslíku rostl s rostoucím výkonem a vykazoval maximum 20% při tlaku 5 Pa. Přesto tento disociační stupeň nebyl dostatečně vysoký, aby bylo možné vytvářet vrstvy podobné SiO2, protože při 5 Pa bylo stále ještě velké množství HMDSO ve směsi. Pokles disociačního stupně na 2-4% při vyšších průtocích kyslíku, tedy i tlacích, měl za následek nedostatečnou oxidaci vrstev rostoucích ze směsi obsahující větší procento 02.

Návaznosti

• MSM0021622411, záměr: Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

• 1K05025, projekt VaV: Název: Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou