2006
X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
KLANG, Pavel a Václav HOLÝZákladní údaje
Originální název
X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
Název česky
Rtg difúzní rozptyl od vrstevných chyb v CZ Si
Autoři
KLANG, Pavel a Václav HOLÝ
Vydání
Semicond. Sci. Technol. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2006, 0268-1242
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.586
Kód RIV
RIV/00216224:14310/06:00016658
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000236590100027
Klíčová slova anglicky
High resolution X-ray diffraction; Defects; Czochralski method; Semiconducting silicon
Změněno: 2. 3. 2006 08:53, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
High resolution x-ray diffraction has been used to measure the reciprocal space maps of intensity distribution from the scattering on defects in silicon wafers after annealing processes. The displacement field around stacking faults and dislocation loops has been calculated using the Burgers theory of elasticity. From these calculations a reciprocal space map of x-ray diffuse scattered intensity has been simulated. The type and size of the defects can be determined from a comparison of measured with simulated maps. The type of defects has been determined from the symmetry of measured reciprocal space maps, where higher intensity streaks corresponding to planar defects in {1 1 1} planes have been observed. Using the width of these higher intensity streaks and comparing measured and simulated maps, the radius of stacking faults with the Burgers vector a/3[1 1 1] in {1 1 1} planes was found to be 0.3-0.5 micrometers.
Česky
Pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením byly v reciprokém prostoru naměřeny mapy rozložení rozptylu na defektech v Si deskách po žíhání. K výpočtu pole výchylek v okolí vrstevných chyb a dislokačních smyček byla použita Burgersova teorie elasticity. Díky těmto výpočtům byly provedeny simulace intenzity rtg difúzního rozptylu. Porovnáním naměřených a nasimulových map lze určit velikost a typ defektu. Typ defektu byl určen ze symetrie naměřených map, ve kterých byly pozorovány proužky s vyšší intenzitou odpovídající rovinným defektům v rovinách (1 1 1). Díky šířce těchto proužků a porovnáním měření a simulaci jsme určili poloměr vrstevných chyb s Burgerovým vektorem a/3[1 1 1] v rovinách {1 1 1} v rozmezí 0,3-0,5 mikrometrů.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|