Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films

NEČAS, David, Vratislav PEŘINA, Daniel FRANTA, Ivan OHLÍDAL a Josef ZEMEK. Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films. physica status solidi (c). Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, roč. 5, č. 5, s. 1320-1323. ISSN 1610-1634.

Základní údaje

• Originální název: Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films
• Název česky: Optická charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku
• Autoři: NEČAS, David (203 Česká republika, garant), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika) a Josef ZEMEK (203 Česká republika).
• Vydání: physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, 1610-1634.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10306 Optics
• Stát vydavatele: Německo
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/08:00025411
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000256862500077
• Klíčová slova anglicky: ellipsometry; spectrophotometry; silicon nitride; stoichiometry; optical constants
• Štítky: ellipsometry, optical constants, silicon nitride, Spectrophotometry, stoichiometry
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Characterizations of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by PECVD method onto silicon single crystal substrates are performed using variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). The optical characterization employs a dispersion model based on the parameterization of the density of electronic states of the valence and conduction bands. The thin overlayers onto the upper boundaries of the films are taken into account. The values of the dispersion parameters of the SiNx films and thicknesses of these films and overlayers are determined. The ratios of Si and N atomic fractions in the individual films are evaluated using RBS. The results from the optical method and RBS are correlated.

Anotace česky

Charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku připravených metodou PECVD na křemíkové monokrystalické substráty jsou provedeny pomocí víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie a Rutherfordova zpětného rozptylu (RBS). Optická charakterizace zaměstnává disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty elektronových stavů z valenčního a vodivostního pásu. Tenké overlayery na horní hranici vrstev jsou vzaty v úvahu. Jsou určeny hodnoty rozptylu parametrů filmů SiNx a tloušťky těchto filmů a overlayerů. Poměry Si a N atomových frakcí jednotlivých vrstev jsou hodnoceny pomocí RBS. Výsledky z optické metody a RBS jsou korelovány.

Návaznosti

• FT-TA3/142, projekt VaV: Název: Analýza optických vlastností solárních článků.

Investor: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR, Analýza optických vlastností solárních článků

• MSM0021622411, záměr: Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek