-
DANIEL, A.;; Václav HOLÝ; Y. ZHUANG; T. ROCH; J. GRENZER; Zdeněk BOCHNÍČEK a G. BAUER. GID study of strains in Si due to patterned SiO2. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 2001, roč. 34, 10A, s. A197, 6 s. ISSN 0022-3727.Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/362574/cs
-
ULYANENKOV, A.; K. INABA; Petr MIKULÍK; N. DAROWSKI; K. OMOTE; J. GRENZER a A. FORCHEL. X-ray diffraction and reflectivity analysis of GaAs/InGaAs free-standing trapezoidal quantum wires. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 2001, roč. 34, 10A, s. A179, 4 s. ISSN 0022-3727.Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/362932/cs
-
ZHUANG, Y.; Václav HOLÝ; J. STANGL; A.A. DARHUBER; Petr MIKULÍK; S. ZERLAUTH; F. SCHÄFFLER; G. BAUER; N. DAROWSKI; D. LÜBBERT a U. PIETSCH. Strain relaxation in periodic arrays of Si/SiGe quantum wires determined by coplanar high resolution x-ray diffraction and grazing incidence diffraction. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 1999, roč. 32, č. 9999, s. A224, 6 s. ISSN 0022-3727.Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/205589/cs